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mw-headline" id="Arten_von_Single_Event_Effects">Arten von Single Events span>span="mw-editsection-bracket">[a class="mw-editsection-visualeditsection-visualitor" href="/w/index. Impressum. php?title=Single_Event_Effect&veaction=edit§ion=1" title="Abschnitt editieren: Typen von Einzelereignis-Effekten">editieren | /span>Quelltext bearbeiten]>
Der Begriff Single-EventEffekt ( "SEE") ist der Sammelbegriff für Wirkungen, die in Halbleiterkomponenten durch den Aufprall oder die Kreuzung eines Partikels ionisierender Strahlen hervorgerufen werden können. SEEs sind besonders für die in der Luft- und Raumfahrtelektronik verwendete mikroelektronische Technologie von Bedeutung, da die Strahlenintensität in höher gelegenen Gebieten der Atmosphäre und vor allem im Weltall zunimmt.
Prinzipiell können zwei Typen von SEEs unterschieden werden: SEE, die dauerhafte Schäden verursachen (sog. harte Fehler) und solche, die nur vorübergehende Störungen verursachen (sog. weiche Fehler). Im Folgenden sind die wesentlichen Typen von SEEs aufgelistet. Einzelereignis-Latchup (SEL): Ein SEL bewirkt die Zündung eines Parasitenthyristors und damit einen Kurzschluß in einem Halbleiterbauelement.
Das kann zur Vernichtung des betreffenden Bauteiles beitragen. Ein SEL kann durch frühzeitiges Aus- und Einschalten der Komponente beseitigt werden. Einzelnes Ereignis Upset (SEU): Dieser Vorgang ist das "Kippen" eines Bit (Bitflip), oder die Zustandsänderung einer Digitalschaltung. Das betroffene Bauelement wird durch eine solche Einheit nicht dauerhaft beschädigt.
Verursacht eine solche Einheit einen kompletten Systemausfall (z.B. Computerabsturz), wird dies auch als Single-Ereignis Functional Interrupt (SEFI) beschrieben. Auch auf Meereshöhe können SEUs auftauchen. Hier werden sie in der Regel durch Radioaktivität im Gehäusewerkstoff eines Bauteiles und der daraus resultierenden Alpha-Strahlung verursacht. Einzelereignis Transient (SET): Dieser Vorgang manifestiert sich in einer kurzen Veränderung des Pegelpegels in einer Elektronikschaltung (Glitch).
Dies kann auch zu verschiedenen Störungen kommen, verursacht aber keine dauerhaften Schäden am betreffenden Teil. Einzelereignis Burnout (SEB). Bei einem SEB entsteht im Strombereich des Drain-Source-Pfades eines Leistungs-MOSFETs ein zu hoher elektrischer Durchfluss. SEGR ( "Single Event-Gate Rupture"): SEGR beschreibt die Vernichtung des Gate-Dielektrikums in Leistungs-MOSFETs.
Wie beim SEB kommt es zu einem Versagen der betreffenden Komponente. Wie wahrscheinlich es ist, dass ein SEE in einer Komponente oder Montage auftritt, ist wesentlich von zwei Einflussfaktoren abhängig: Verschiedene Halbleitertechnologien sind für SOEs verschieden empfindlich. Man nennt die an das Halbleiter-Material zu emittierende Teilchen-Energie, aus der ein SEE in einem Bauelement entstehen kann, LETth {\displaystyle LET_ {\\text}} (jeweils für die verschiedenen Typen von SEEs), wo LET für lineare Energieübertragung und der Indexpunkt t für Schwellenwert steht.
Je nach Ort und Zeitpunkt der Anwendung kann die Strahlungsintensität eines Bauteils sehr unterschiedlich sein.